芯片缺陷分析方式浅谈

芯片贴装FCA/Die Bonding 失效分析

失效现象

异常位置

异常因素

原因分析

FA分析方式

OS不良

开路

Die异常

Die来料异常

晶圆来料异常

基板异常

基板设计异常

基板设计异常

P-lappingX-ray、切片

基板线路断裂

人为因素、来料异常

P-lappingX-ray、切片

焊接异常

虚焊

炉温设置异常、Flux蘸取异常

X-ray、切片

拒焊

基板、Die表面氧化拒焊

X-ray、切片

Crack

封装过程导致的Crack

P-lapping、切片

短路

Die异常

Die来料异常

晶圆来料异常

作业环境异常

静电击穿短路

ThermalOBIRCHP-lappingFIB

基板异常

基板设计异常

基板设计异常

ThermalOBIRCHP-lappingX-ray、切片

基板线路短连

人为因素、来料异常

ThermalOBIRCHP-lappingX-ray、切片

焊接异常

桥连

炉温设置异常、Flux蘸取异常

ThermalOBIRCHP-lappingX-ray、切片

Function不良

客户指定有关

信号Pin

封装异常

封装过程导致的Crack

切片

晶圆设计异常

晶圆设计异常

基板设计异常

基板设计异常


底部填胶工艺失效分析:

失效现象

异常原因

FA分析方式

Void

吸湿率大,错误的plasma   recipe

FM   & Flux残留,基板设计错误,胶管内有气泡,

胶量不足,画胶方式错误

SAT、切片

Bump   Crack

使用错误的胶材,基板设计错误,

热膨胀系数与应力导致

切片

Underfill   delam

使用错误的胶材,烘烤异常

芯片/基板异常,错误的plasma   recipe

P-lappingSAT、切片

Underfill   flowmark

FM

使用错误的胶材

SAT切片

Die   crack

设备异常,人为操作不当,点胶高度不足

热膨胀系数与应力导致

SATIR显微镜切片

爬胶高度异常

胶量不足,Plasma未清洗干净,

胶管内有气泡,

投影仪、切片


OS测试失效分析

失效现象

异常位置

异常因素

原因分析

FA分析方式

脏污

芯片上(Die上脏污为主)

a.前道工艺不良引入

b.测试机台有脏污

a.   Epoxy on Die

b.设备有异物

测量显微镜

+SEM +元素分析

Ball异常(缺球、球损伤、脏污)

基板

a.来料异常

b.机台参数设置不当;

c.机台未校准

a.来料检不合格

b. Recipe管控不佳;

c.未使用Golden Sample进行校准

测量显微镜

Die Crack

Die

1.过压;

2.Socket/shuttle 中有异物;

1.KIT 进行季度保养,保养时需对 socket base 垫片进行 检查;

2.换测时对 socket shuttle 进行清洁

3.EE改机对设备 shuttle 传感器 进行确认;

测量显微镜、元素分析


基板刮伤

基板

1.设备output arm pitch 精度异常;

2.料盘翘曲;

3.吸嘴高度及吹气大小异常

1.半年的度维护时对设备做 arm 精度校准;

2.对周转料盘每半月进行筛 选,剔除翘曲料盘;

3.setup check 吹气大小以及放料位置。

测量显微镜



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