芯片失效分析

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型号:MY-20160114

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产品介绍

芯片失效分析


FA Sample Preparation

(一般封装开封,一般封装取Die, 砷化镓取Die; 点胶服务,样品制备-定点研磨、冷埋处理,离子平面处理,离子截面切削;去除凸块,金球,锡球;PCB去层/P-lapping; 护层裂痕实验;Wafer裂片;镀金 Pt coating; 镭射切割;激光开盖;SAT超声波显微镜;3D X-Ray; SEM拍照/EDX分析;IC Backside 样品制备 )


FA Sample Inspection

(综合失效分析;HTOL/LTOL 高/低温寿命试验; BLT 偏压寿命试验; IOL间歇寿命试验; PTC功率温度循环; 老化插座;HAST方案设计;高温信号线租用40channel,1MHz);


RA package test

(Reflow)回流焊试验;TCT温度循环试验;HTST高温存储试验;THST温湿度存储试验;BHAST高加速寿命试验;UHAST无偏压高加速寿命试验;焊线推拉力试验;锡球推拉力试验;Die/散热盖推拉力试验;加速度跌落试验;盐雾试验;热阻测试——模块、芯片;


晶圆预处理及芯片封装测试代工服务

4"-12''晶圆减薄,激光开槽,划片;基板切割;BM, SMT, OS test, 93K test,基板代加工等;

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